高迁移率In0.6Ga0.4As 沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究--中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出论文

论文编号:	172511O120120166
第一作者所在部门:	四室一组
论文题目:	高迁移率In0.6Ga0.4As 沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究
论文题目英文:
作者:	刘洪刚
论文出处:
刊物名称:	物理学报
年:	2012
卷:	61
期:	21
页:	217304-1
联系作者:	刘洪刚
收录类别:
影响因子:
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注:	SCI收录