| 论文编号: | 172511O120120120 |
| 第一作者所在部门: | 九室一组 |
| 论文题目: | TSV 结构热机械可靠性研究综述 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 秦飞 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2012 |
| 卷: | 37 |
| 期: | 11 |
| 页: | 825 |
| 联系作者: | 秦飞 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | 硅通孔 ( TSV) 结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元 TSV 结构是由电镀铜填充的 Cu- Si 复合结构，该结构具有 Cu /Ta /SiO2 /Si 多层界面，而且界面具有一定工艺粗糙度TSV 结构中，由于 Cu 和 Si 的热膨胀系数相差6 倍，致使 TSV 器件热应力水平较高，引发严重的热机械可靠性问题 这些可靠性问题严重影响 TSV 技术的发展和应用，也制约了基于 TSV 技术封装产品的市场化进程 针对 TSV 结构的热机械可靠性问题，综述了国内外研究进展，提出了亟需解决的若干问题: 电镀填充及退火工艺过程残余应力测量 TSV 界面完整性的量化评价方法 热载荷和电流作用下 TSV- Cu 的胀出变形计算模型问题等 |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | CSCD收录 |
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