论文编号: 1725110120160111
第一作者所在部门:
论文题目: InP表面氮化对Al2O3/InP金属氧化物半导体电容界面特性及漏电特性的影响
论文题目英文:
作者: 曹明民
论文出处:
刊物名称: 真空科学与技术学报
: 2016
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: 1
: 110
联系作者: 李海鸥
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