教育背景:
2011年 - 2015年,新加坡南洋理工大学 / 新加坡IME A*Star,博士,微电子学 / 光子学
工作简历:
2021年3月至今,中科院微电子所,集成电路先导工艺研发中心,研究员
2018年7月-2021年3月,中科院微电子所,集成电路先导工艺研发中心,副研究员
2017年 - 2018年,新加坡南洋理工大学,Research Fellow
2016年 - 2017年,美国Inphi公司,Staff R&D Engineer
2015年 - 2016年,美国Inphi公司,Senior R&D Engineer
硅基光电子集成芯片、2.5D/3D硅基光电子集成
1. 国家重点研发计划项目,6xxx万,主持
2. 国家自然科学基金,面上基金, 75.2万元,主持
3. xx领域基金,300万元,主持
4. 国家自然科学基金,重点基金, 100万元,单位任务负责人
5. 国家自然科学基金,青年基金, 27.6万元,主持
6. 中科院人才项目,280万元,主持
7. 中科院所长基金,50万元,主持
8. 领域基金,100万元,子课题负责人
第一发明人专利受理:
2021:
一种电光调制器,202110796025.7
一种光电探测器,202110797165.6
一种芯片,202110540846.4
一种低功耗热光器件及其制作方法,202110224733.3
一种光学器件测试结构及其制作方法,202110189580.3
一种集成电路,202110181478.9
一种波导结构的参数优化方法,202110161344.0
一种光器件,202110050446.5
2020:
Method for manufacturing silicon optical interposer, method for manufacturing three-dimensional structure, method for integrating surface-electrode ion trap and silicon photoelectronic device, integrated structure, and three dimensional structure,SG 11202012334S
Method for integrating surface-electrode ion and silicon photoelectronic device, integrated structure, and three dimensional structure,US 17/121,396
一种光器件,2020112724156.6
一种光器件及其制造方法,202011467514.X
一种电光器件及其制造方法,202011460458.7
一种电光器件及其制造方法,202011460459.1
一种热光器件及其制造方法,202011460354.6
一种热光器件及其制造方法,202011460359.9
一种半导体器件的制造方法及半导体器件,202011232024.1
一种铜互连线的制造方法及半导体器件,202011132578.4
一种光器件及其制作方法,202011432709.0
一种铜再布线层的制造方法、硅光器件及芯片,202011142132.X
2019:
3D Integration architecture and process of silicon optical addressing and detection of ion qubit,PCT/CN2019/119912
一种硅光转接板及三维架构的集成方法 201911120086.0
一种栅格形铜电极结构及其制备方法 201911149972.6
表面电极离子阱与硅光寻址及探测器、及架构的集成方法 201911121046.8
一种表面电极离子阱与硅光器件的集成结构及三维架构 201911120744.6
2018:
Architecture Of Si Photonics/TSV Interposer And Ion Trapping For Scalable Quantum Computing, Singapore Patent No. 10201800666V
人才队伍