教育背景
2006.09-2011.07 中科院电子所 物理电子学专业 工学博士
2002.09-2006.07 西南交通大学 电子科学与技术专业 学士
工作简历
2018.03- 中科院微电子所 先导中心 副研究员
2011.07- 2018.03 中科院微电子所 先导中心 助理研究员
集成电路工艺与器件，金属硅化物及接触技术
1. 重大专项子课题“20纳米平面体硅产品工艺及22纳米FDSOI工艺”子任务“22nmFDSOI模型及工艺研究”，2017.07- ， 工艺部分负责人，在研
2. 所长基金“DSOI”，2018.10- ，子课题负责人，在研
3. 国家自然科学基金青年基金“高性能低功耗体硅器件与埋氧器件的集成整合技术研究”， 2015.01- 2018.03， 技术骨干，结题
4. 02重大专项16/14nm项目课题1“ET-SOI 器件与关键工艺研究”，2013.1- 2016.4，技术骨干，结题
5. 02重大专项22nm项目课题6“工艺整合与集成技术”，2012.5-2014.6，技术骨干，结题6. 02重大专项“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”课题2“高k/金属栅工程”，2011.7-2012.5，技术骨干，结题
1. Xue Luo, Guilei Wang, Jing Xu*, Ningyuan Duan, Shujuan Mao, Shi Liu, Junfeng Li, Wenwu Wang, Dapeng Chen, Chao Zhao, Tianchun Ye and Jun Luo: Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGexon both n- and p-Ge substrate. Japanese Journal of Applied Physics，2018, 57（7S）
2.Ningyuan Duan, Guilei Wang, Jing Xu*, Shujuan Mao, Xue Luo, Zhaozhao Hou, Wenwu Wang, Dapeng Chen, Junfeng Li, Shi Liu, Chao Zhao, Tianchun Ye and Jun Luo: Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate. Japanese Journal of Applied Physics ，2018, 57（7S）
3. Zhaoyun Tang, Jing Xu, Hong Yang, Hushan Cui, Bo Tang, Yefeng Xu, Hongli Wang, Junfeng Li, and Jiang Yan: Impact of TaN as Wet Etch Stop Layer on Device Characteristics for Dual-Metal HKMG Last Integration CMOSFETs. IEEE Electron Device Letters, 2013 , 34 (12) :1488-1490
4. Hushan Cui, Jing Xu, Jianfeng Gao, Jinjuan Xiang, Yihong Lu, Zhaoyun Tang, Xiaobin He, Tingting Li, Jun Luo, Xiaolei Wang, Bo Tang, Jiahan Yu, Tao Yang, Jiang Yan, Junfeng Li, Chao Zhao: Evaluation of TaN as the Wet Etch Stop Layer during the 22nm HKMG Gate Last CMOS Integrations. Ecs Transactions, 2013, 58 (6) :111-118
5. Shu-Juan Mao, Jing Xu, Gui-Lei Wang, Jun Luo, Ning-Yuan Duan, Eddy Simoen, Henry Radamson, Wen-Wu Wang, Da-Peng Chen, Jun-Feng Li, Chao Zhao and Tian-Chun Ye: On the manifestation of Ge Pre-amorphization Implantation (PAI) in forming ultrathin TiSix for Ti direct contact on Si in sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology nodes. ECS J. Solid State Sci. Technol. 2017, 6 (9): 660-664
6. Hushan Cui, Jun Luo, Jing Xu, Jianfeng Gao, Jingjuan Xiang, Zhaoyun Tang, et al.:Investigation of tan as the wet etch stop layer for hkmg-last integration in the 22nm and beyond nodes cmos technology. Vacuum, 2015, 119, 185-188
7. Min Tian , Huicai zhong, Jing Xu, Li Li, Jun Luo, Zhigang Wang: Role of Ti electrode on the electrical characterization of filament within Al2O3 based antifuse. ECS Journal of Solid State Science and Technology ,2018,7（4）
8. Tang, Z., Tang, B., Xu, J., Xu, Y., Wang, H., & Li, J., et al. (2014): Integration of Advanced MOSFET Device with Dual Effective Band Edge Work Function Metals Using both HK and MG Last Scheme. ECS Meeting, 61: 253-259
1. 许静，闫江，唐波，唐兆云，王红丽，一种半导体器件的制造方法，申请号：201410111507.4
2. 许静，闫江，陈邦明，王红丽，唐波，唐兆云，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410340090.9
3. 许静，闫江，陈邦明，王红丽，唐波，唐兆云，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410339812.9
4. 许静，闫江，陈邦明，王红丽，唐波，唐兆云，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410340104.7
5. 许静，闫江，陈邦明，王红丽，唐波，唐兆云，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410339800.6（已授权）
6. 许静，闫江，唐兆云，王红丽，唐波，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，陈邦明，半导体衬底、器件及其制造方法，申请号： 201410553512.0
7. 许静，闫江，唐兆云，王红丽，唐波，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，陈邦明，半导体衬底、器件及其制造方法，申请号： 201410553521.X
8. 许静，闫江，王红丽，唐波，唐兆云，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410585002.1
9. 许静；闫江；陈邦明；王红丽；唐波；徐烨锋，一种半导体器件及其制造方法，申请号： 201510604676.6
10. 许静； 闫江； 陈邦明； 唐波；王红丽，一种基于体硅的SOI FinFET的制作方法，申请号： 201611123442.0
11. 许静， 罗军， 唐兆云， 唐波， 王红丽, 一种半导体结构的制造方法，申请号： 201810118534.2
12. 唐波，许静，闫江，陈邦明，王红丽，唐兆云，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410339866.5
13. 唐波，许静，闫江，陈邦明，王红丽，唐兆云，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410340133.3
14. 唐波，许静，闫江，陈邦明，王红丽，唐兆云，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410339799.7
15. 李春龙，许静，闫江，陈邦明，王红丽，唐波，唐兆云，徐烨锋，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410340131.4
16. 李春龙，许静，闫江，陈邦明，王红丽，唐波，唐兆云，徐烨锋，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410340426.1
17. 尹海洲，许静，刘云飞，一种半导体结构的制造方法，申请号： 201110375108.50（已授权）
18. 赵湛，许静，刘泳宏，一种集生物样品富集和检测功能的微电极传感器芯片,申请号： 200810226081
19. Jing Xu，Jiang Yan，Bomy Chen，Hongli Wang，Bo Tang，Zhaoyun Tang，Yefeng Xu，Chunlong Li，Mengmeng Yang， SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME，授权号： US9306003 （已授权）
20. Jing Xu，Jiang Yan，Bomy Chen，Hongli Wang，Bo Tang，Zhaoyun Tang，Yefeng Xu，Chunlong Li，Mengmeng Yang， SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME，申请号：14/391,889
21. Haizhou Yin，Jing Xu，Yunfei Liu, SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME ,授权号： US9209269 （已授权）
人才队伍