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  • 姓名： 汤益丹
  • 性别： 女
  • 职称： 副研究员
  • 职务： 
  • 学历： 博士
  • 电话： 010-82995593
  • 传真： 010-62021601
  • 电子邮件： tangyidan@ime.ac.cn
  • 所属部门： 高频高压器件及集成研发中心
  • 通讯地址： 北京市朝阳区北土城西路3号

    简　　历：

  • 教育背景

    2003.09-2007.07  湖南师范大学  通信工程  学士 ；   

    2007.09-2010.07  北京工业大学 微电子学与固体电子学 工学硕士   

    2016.09-2020.01  中国科学院大学 微电子学与固体电子学 工学博士   

    工作简历 

    2020.07-至今    中科院微电子所   副研究员 

    2013.10-2020.07  中科院微电子所   助理研究员 

    2010.07-2013.10  中科院微电子所   研究实习员 


    社会任职：

    研究方向：

  • 宽禁带半导体器件研发、半导体缺陷科学与工程研究

    承担科研项目情况：

  • 主持国家科技重大02专项和广东省重点研发计划任务级项目，参与国家重点研发计划、自然基金、院STS、企业等项目共计10余项。

    代表论著：

  • 近5年以第一作者身份发表论文12篇，通信作者身份2篇，代表论著如下： 

    [1] Yidan Tang*, Lan Ge, Hang Gu, Yun Bai, Yafei Luo, Chengzhan Li, Xinyu Liu. Degradation in electrothermal characteristics of 4H-SiC junction barrier Schottky diodes under high temperature power cycling stress. Microelectron. Reliab. 102 113451, 2019 . 

    [2] Yi-Dan Tang*, Xin-Yu Liu* , Zheng-Dong Zhou, Yun Bai, and Cheng-Zhan Li. Defects and electrical properties in Al-implanted 4H–SiC after activation annealing. Chin. Phys. B. Vol. 28, No. 10 106101, 2019.  

    [3] Yidan Tang*, Shengxu Dong, Yun Bai, Chengyue Yang, Chengzhan Li, Xinyu Liu. Mechanisms and Characteristics of Large-Area High-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes. Materials Science Forum. Vol. 963, pp 562-566. 2019.  

    [4] Yidan Tang*, Xinyu Liu, Yun Bai, Shengxu Dong, Shaodong Xu. Study of Temperature-dependent Mechanisms and Characteristics of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Rectifiers. Materials Science Forum. Vol. 924, pp 589-592. 2018.  

    [5] Yidan Tang*, Xinyu Liu*, Yun Bai, Chengzhan Li, Chengyue Yang. High-Temperature Reliability Analysis of 1200 V/100 A 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes. Materials Science Forum, Vol. 1004, pp 1004-1009. 2020.

    专利申请：

  • 以第一、二发明人或技术联系人，授权发明专利19项，其中美国3项，代表性专利如下： 

    [1] 汤益丹 申华军 白云 李博 周静涛 刘焕明 杨成樾 刘新宇.，专利“多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法”，ZL201110412636.32. （已授权）. 

    [2] 汤益丹 申华军 白云 周静涛 杨成樾 刘新宇 李诚瞻 刘国友，专利“碳化硅MOSFET器件及其制造方法”，专利号：ZL201510574417.3. （已授权）. 

    [3] Yidan TANG* Huajun SHEN Yun BAI et al. “SILICON CARBIDE MOSFET DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME”, PCT/CN2015/089335. US Patent：US 10,680,067. 美国授权专利. 

    [4] Xinyu Liu Yidan TANG* Shengkai Wang et al.“MICROWAVE PLASMA GENERATING DEVICE FOR PLASMA OXIDATION OF SIC”, US Patent ：US 10, 734, 199.  美国授权专利. 

    [5] Xinyu Liu Yidan TANG* Shengkai Wang et al. “METHOD FOR MANUFACTURING GROOVED MOSFET DEVICE BASED ON TWO-STEP MICROWAVE PLASMA OXIDATION”, US Patent: US 10,763,105. 美国授权专利.

    获奖及荣誉：

  • 2016-2018年中科院微电子所博士荣誉奖学金，特等奖学金； 

    2018年中科院微电子所“优秀个人”； 

    2019年中科院微电子所“科研新星”三等奖； 

    2019年北京市科学技术发明二等奖，No.2019-F01-2-02-R09；
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