(1) 2024-01至2026-12，中科院青促会优秀会员人才项目,  三维集成电路堆叠理论与集成技术研究，300万元，项目负责人

(2) 2022-10至2025-10，中国科学院战略性先导科技专项(A类)， GAA和FDSOI器件与先进制造核心技术，9976万元，课题负责人

(3) 2024-1至2027-12，国家自然科学基金面上项目，围栅纳米片MOS晶体管原子级沟道界面处理及修复机制研究，48万元，项目负责人

(4) 2019-1至2022-12，国家自然科学基金-青年基金项目，5 nm节点以下超薄铪基负电容材料稀土改性和三维架构协同效应研究，26万元，项目负责人

(5) 2020-10至2022-09，北京市科技新星计划, 多栅负电容MOS 器件和关键材料研究,  40万元, 项目负责人

(6) 2022-10至2025-10, 高技术项目部, 硅纳米线器件研制,  100万元, 项目负责人

(7) 2023-6至2026-6, 高技术项目部, 单片3D单元设计与集成工艺实现,  1900万元, 课题负责人

   （8）2016-1至2021-6，5nm先导技术研究, 2017-01至2020-12, 7400.0000万元, 在研, 技术骨干

(1) Zhang Q., Zhang Y., Luo Y., et al. New structure transistors for advanced technology node CMOS ICs[J]. National Science Review, 2024, 11(3): nwae008.

(2)Zhang, Q.; Gu, J.; Xu, R.; Cao, L.; Li, J.; Wu, Z.; Wang, G.; Yao, J.; Zhang, Z.; Xiang, J.; He, X.; Kong, Z.; Yang, H.; Tian, J.; Xu, G.; Mao, S.; Radamson, H.H.; Yin, H.; Luo, J. Optimization of Structure and Electrical Characteristics for Four-Layer Vertically-Stacked Horizontal Gate-All-Around Si Nanosheets Devices. Nanomaterials, 2021, 11, 646.

(3)Cao L., Zhang Q.*, Yao J., et al. Investigation of fabricated CMOS fishboneFETs and treeFETs with strained SiGe nano-fins on bulk-Si substrate[J]. IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(9), 1396-1399.

(4)Cao L., Zhang Q.*, Luo Y., et al. Novel channel-first fishbone FETs with symmetrical threshold voltages and balanced driving currents using single work function metal process[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(11): 5971-5977.

(5)Zhang Q., Yin H., Meng L., et al. Novel GAA Si nanowire p-MOSFETs with excellent short-channel effect immunity via an advanced forming process [J]. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(4): 464 - 467.

(6)Zhang Q., Yin H, Luo J, et al. FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin[C]. 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2016: 17.3. 1-17.3. 4.

(7)Zhang Q., Tu H., Yin H., et al. Si nanowire biosensors using a FinFET fabrication process for real time monitoring cellular ion actitivies[C]. 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2018: 29.6. 1-29.6. 4.

(8)Zhang Q., Tu H, Yin H, et al. Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays[J]. Microelectronic Engineering, 2018, 198: 48-54.

(9)Zhang Q., Tu H, Gu S, et al. Influence of Rapid Thermal Annealing on Ge-Si Interdiffusion in Epitaxial Multilayer Ge0.3Si0.7/Si Superlattices with Various GeSi Thicknesses[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 7(11): P671-P676.

(10) Zhang Z., Xu G., Zhang Q.*, et al. FinFET with Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 [J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(3): 367-370.

已授权专利

(1)     张青竹; 顾杰; 张兆浩; 殷华湘; 改善寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法 , 2020-10-27, 中国, CN202011167515.2.   

(2)     顾杰; 张青竹; 张兆浩; 殷华湘; 改善寄生沟道效应的NS-FET及其制备方法 , 2020-10-27, 中国, CN202011167512.9.    

(3)     张青竹; 张兆浩; 魏千惠; 屠海令; 殷华湘; 魏峰; 赵鸿滨; 王文武; 一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件, 2019-07-25, 中国, CN201910675057.4.    

(4)     张兆浩; 张青竹; 蔡豫威; 殷华湘; 应变技术增强负电容器件的结构及制作方法和电子设备, 2019-08-22, 中国, CN201910780831.8.    

(5)     张青竹; 魏千惠; 魏峰; 张晓; 赵春华; 一种基于FinFET制造工艺的硅纳米线细胞传感器, 2018-12-27, 中国, CN201811617497.6.    

(6)     张青竹; 殷华湘; 闫江; 吴振华; 周章渝; 秦长亮; 张严波; 张永奎; 半导体器件及其制作方法, 2017-04-13, 中国, ZL201710243708.3.   

(7)     张青竹; 殷华湘; 闫江; 一种形成鳍的方法及结构, 2015-09-09, 中国, CN201510572091.0.   

(8)     张青竹; 殷华湘; 闫江; 半导体器件制造方法, 2015-10-16, 中国, CN201510674513.5.    

(9)     张青竹; 殷华湘; 闫江; 李俊峰; 杨涛; 刘金彪; 徐秋霞; 一种栅极及其形成方法, 2015-01-29, 中国, CN201510048272.3.   

(10) 张青竹; 赵利川; 杨雄锟; 殷华湘; 闫江; 李俊峰; 杨涛; 刘金彪; 一种金属硅化物的形成方法, 2015-03-13, 中国, CN201510112597.3.