| 专利名称: | 一种金属-半导体埸效应晶体管 |
| 申请号: | 90104646.9 |
| 申请日期: | 1990-07-19 |
| 专利号: | CN1049247 |
| 第一发明人: | 刘训春 王润梅 叶甜春 曹振亚 |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种利用侧壁自对准技术制造ＭＥＳＦＥＴ的结构，在金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度大于与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度，这样的非对称结构能够提高ＭＥＳＦＥＴ的性能。 |
| 专利名称: | 一种金属-半导体埸效应晶体管 |
| 申请号: | 90104646.9 |
| 申请日期: | 1990-07-19 |
| 专利号: | CN1049247 |
| 第一发明人: | 刘训春 王润梅 叶甜春 曹振亚 |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种利用侧壁自对准技术制造ＭＥＳＦＥＴ的结构，在金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度大于与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度，这样的非对称结构能够提高ＭＥＳＦＥＴ的性能。 |
科研产出