| 专利名称: | 在半导体表面制造T形栅极的方法 |
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| 申请号: | 95101600.8 |
| 申请日期: | 1995-02-21 |
| 专利号: | CN1112288 |
| 第一发明人: | 刘训春 叶甜春 钱鹤 吴德馨 王润梅 曹振亚 张学 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种适用于ＨＥＭＴ等微电子器件生产的在半导体表面制造Ｔ形栅电极的方法。它按Ｔ形电极顶宽的尺寸在半导体表面的胶层上挖槽，再用淀积和定向刻蚀法使槽内形成介质侧壁，再经淀积金属并剥离栅区以外的胶层与金属层，留下最终的Ｔ形栅电极。本发明能用较宽的Ｔ形顶尺寸加工图形得到更细的电极底面。它能用稍宽的光刻尺寸加工，实现逼近光学极限的栅长。 |
| 其它备注: | |
科研产出