| 专利名称: | 一种高电子迁移率晶体管器件 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 95104297.1 |
| 申请日期: | 1995-05-04 |
| 专利号: | CN1121259 |
| 第一发明人: | 高士平 程秀玲 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种高电子迁移率晶体管器件〈ＨＥＭＴ〉的自对准制作的方法，涉及到在合格基片的管芯台面上，制作其上面重叠覆盖有绝缘膜层的源电极和漏电极，两电极间距为尺寸与器件栅长相近的夹缝，在夹缝和其他图形侧壁上制作绝缘隔离侧墙后，在夹缝有效窗口上制作器件栅极肖特基结及其上面栅电极，从而实现栅极与源、漏电极自对准的方法。 |
| 其它备注: | |
科研产出