| 专利名称: | 束致变蚀技术 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 94118843.4 |
| 申请日期: | 1994-12-09 |
| 专利号: | CN1124364 |
| 第一发明人: | 韩阶平 王守武 王培大 杜甲丽 李秀琼 陈梦真 刘辉 徐卫东 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀技术。本发明包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂混合物层；在一定温度下经过用氮鼓泡的氟化氢溶液的混合气体中腐蚀。可使选择轰击二氧化硅表面的二个区的腐蚀速率比达到１∶１００，刻蚀分辨率为亚微米级，正负图形可变并且清晰完整，可靠性高。 |
| 其它备注: | |
科研产出