| 专利名称: | 半导体芯片焊料凸点加工方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 00133603.7 |
| 申请日期: | 2000-11-28 |
| 专利号: | CN1355555 |
| 第一发明人: | 王文泉 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种半导体芯片焊料凸点加工方法，包括如下步骤：步骤1：球下金属化层；步骤2：介质膜的淀积与刻蚀；步骤3：电镀工艺：a、电镀铜微型凸点或称厚铜：采用光亮硫酸盐镀液配方，镀铜厚度5－10μm；b、电镀铅锡合金凸点：采用光亮铅锡合金电镀配方以及材料，二元系铅锡合金一次电镀完成；步骤4：回流工艺：采用回流峰值温度高于焊料熔点10－50℃，并采用中性助焊剂。 |
| 其它备注: | |
科研产出