| 专利名称: | 双摆幅式电荷恢复低功耗电路结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 01120679.9 |
| 申请日期: | 2001-07-26 |
| 专利号: | CN1399326 |
| 第一发明人: | 李晓民 罗家俊 仇玉林 陈潮枢 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种双摆幅式电荷恢复低功耗电路结构，包括：第一PMOS管，源极和衬底接在高幅值的脉冲电源，门极和漏极接在A结点和B结点；第二PMOS管，源极和衬底都接在高幅值的脉冲电源上，门极和漏极接在B结点和A结点；第一NMOS管，漏极接在B结点，源极接地，门极接输入信号；第二NMOS管，漏极接在A结点，源极接地，门极接另一输入信号；第三NMOS管，其漏极接在输出结点C，源极接低摆幅的脉冲电源，门极接B结点；第四NMOS管，漏极接在输出结点D，源极接低摆幅的脉冲电源，门极接在A结点；第五NMOS管，漏极接在输出结点C，源极接地，门极接A结点；第六NMOS管，漏极接在输出结点D，源极接地，门极接A结点；所有的NMOS管的衬底均接地。 |
| 其它备注: | |
科研产出