| 专利名称: | 非平面结构的非挥发性存储器单元及制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 01139666.0 |
| 申请日期: | 2001-12-04 |
| 专利号: | CN1423320 |
| 第一发明人: | 欧文 钱鹤 李明 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利摘要: | 本发明提供一种非平面结构的非挥发性存储器单元及制作方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在硅衬底上制作出有源区和场氧区，场氧区用于器件之间的隔离，有源区为载流子的工作区和引线区；步骤2：在硅衬底上干法刻蚀出一个槽，形成该结构的台面；步骤3：做出栅氧化层，用于存储器件的隧穿氧化层；步骤4：做一氮化硅侧墙，用于在沟道中间形成高阈值区；步骤5：在栅氧上淀积第一层多晶硅，用于作存储器件的浮栅；步骤6：生长一层氧化硅/氮化硅/氧化硅复合介质膜，用于作多晶硅间介质；步骤7：生长第二层多晶硅，用作存储器件的控制栅；步骤8：源漏区的N型扩散，形成源漏接触区和存储器件的擦除区域。 |
| 其它备注: | |
科研产出