| 专利名称: | 嵌入式快闪存储器中隧穿氧化层的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 02120379.2 |
| 申请日期: | 2002-05-24 |
| 专利号: | CN1459833 |
| 第一发明人: | 欧文 钱鹤 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利摘要: | 本发明一种嵌入式快闪存储器中隧穿氧化层的制备方法，该方法包括如下步骤，1)首先对要生长隧穿氧化层的硅片进行清洗；2)然后利用干法刻蚀机，在干法刻蚀机上进行氟化处理；3)处理完后，对硅片先进行常规的清洗，然后再在异丙醇清洗液中清洗1分钟；4)把硅片送入高温氧化炉处理，这样具有低的隧穿势垒的隧穿氧化层就制备完成了。 |
| 其它备注: | |
科研产出