| 专利名称: | 低功耗相关双取样电路结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 02143299.6 |
| 申请日期: | 2002-09-25 |
| 专利号: | CN1485898 |
| 第一发明人: | 金湘亮 陈杰 仇玉林 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明一种低功耗相关双取样电路结构，包括：两个取样开关用P型MOS管，其源极接信号输入端，该一开关管的栅极接置位开关信号，另一开关管的栅极接取样开关信号；两个电容用N型MOS管，其栅极分别接另两开关用管的漏极；一个复位开关用N型MOS管，其栅极接复位信号，漏极接一开关管的漏极，源极接另一开关管的漏极；一个差分放大对管，其栅极分别接另两开关管的漏极，一N型MOS管构的源极接输出信号端，另一N型MOS管的源极接等效电流源，漏极接输出信号端；当像素置位和复位读取信号时，两次取样信号分别储存在电容用N型MOS管内，利用电容上信号不能突变的原理，通过差分放大对管完成差分处理输出有用信号，至此完成相关双取样过程。 |
| 其它备注: | |
科研产出