| 专利名称: | 制造纳米器件的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 03109529.1 |
| 申请日期: | 2003-04-09 |
| 专利号: | CN1535915 |
| 第一发明人: | 刘明 陈宝钦 徐秋霞 郑英葵 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种制造纳米器件的方法，其特征在于，包括：制备电子束和光学曝光机的套刻检测标记掩膜版；基片涂PMMA抗蚀剂；前烘；电子束曝光；显影MIBK∶IPA＝1∶3，时间为1分钟，再在IPA溶液中定影30秒；蒸发或溅射金属；在丙酮溶液中进行剥离；第二次涂电子束抗蚀剂，胶厚200-250nm；前烘；用电子束探测标记边缘的背散射电子的方法，检测基片上的整片标记和每个管芯的小标记，根据测量的值进行修正；二次电子束曝光，加速电压50KV，剂量500uC/cm2，束流100PA；显影MIBK∶IPA＝1∶3，时间为1分钟，再在IPA溶液中定影30秒；光学曝光制作器件的其它图形，最终形成纳米量级器件。 |
| 其它备注: | |
科研产出