| 专利名称: | 高匹配低功耗低噪声CDS电路结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200310116352.5 |
| 申请日期: | 2003-11-19 |
| 专利号: | CN1619945 |
| 第一发明人: | 金湘亮 陈杰 仇玉林 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利摘要: | 一种高匹配低功耗低噪声CDS电路结构，包括：两个取样开关晶体管M2、M3，是用来提高信号摆幅降低功耗，其漏极相连接并接输入端1；一个列偏置晶体管M1，其漏极接两个取样开关用P型MOS晶体管M2、M3的栅极；两个晶体管M4、M5，其源极相连接，一晶体管M4的栅极接晶体管M2的栅极，一晶体管M5的漏极接晶体管M3的栅极；两个电容C1、C2，分别与晶体管M4、M5的栅极和漏极相连接；一对列跟随晶体管M8、M9，其源极分别接电容C1、C2，晶体管M9的漏极是输出端16，晶体管M8的漏极是输出端17；一对列选通晶体管M6、M7，其源极相接，栅极相接，晶体管M6的漏极与晶体管M8的栅极相接，晶体管M7的漏极与晶体管M9的栅极相接。 |
| 其它备注: | |
科研产出