专利名称: 干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构
专利类别:
申请号: 90225947.4
申请日期: 1990-12-19
专利号: CN2080233
第一发明人: 罗澎 金钟元 韩阶平 马俊如
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本实用新型涉及干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构。本实用新型提供一种磁控反应离刻蚀机上施加磁场的永磁磁路结构,该永磁磁路结构设于反应室内直接构成磁场,由一对包括许多永磁磁铁单元的极板,一个软铁回路以及角铁组成。通过调整可使硅片刻蚀区形成均匀的强度可调的磁场。本实用新型磁路结构简单,可降低设备制造成本,提高精度,提高设备可靠性和易操作性。
其它备注: