| 专利名称: | 在磷化铟InP基片上形成通孔的方法及半导体光电器件 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610003070.8 |
| 申请日期: | 2006-02-08 |
| 专利号: | CN101017779 |
| 第一发明人: | 李宝霞 吴德馨 杨成樾 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及半导体材料加工技术领域，特别是一种在InP基片中湿 法刻蚀孔或通孔的方法。方法包括利用电化学腐蚀的方法先在通孔位置 电化学腐蚀出穿透InP基片电流微孔，微孔腔与InP基片表面垂直，再 采用常规化学腐蚀液进行通孔刻蚀；电化学腐蚀形成的与通孔方向一致 多孔的InP。另外，提供了这种通孔的金属化填充方法。半导体光电器件， 包括：基片、光电器件有源区外延层、金属化填充的导电通孔、背电极 金属层、正电极、焊接凸点、以及器件钝化保护层，在掩膜层上采用常 规光刻工艺光刻出通孔开口图形，通孔形成在磷化铟InP衬底上，该半 导体光电器件结构具有一正表面和一基本与其相对的背表面，光电器件 采用倒扣封装模式。 |
| 其它备注: | |
科研产出