| 专利名称: | 异质结双极晶体管T型发射极金属图形制作方法的改进 |
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| 申请号: | 200610003066.1 |
| 申请日期: | 2006-02-08 |
| 专利号: | CN101017781 |
| 第一发明人: | 苏树兵 刘训春 于进勇 刘新宇 王润梅 郑英奎 魏 珂 汪 宁 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及半导体器件及集成电路制造工艺中化合物半导体异质结双 极晶体管的发射极/基极金属图形自对准的制作方法。采用包括等离子体 辅助化学气相沉积、光刻机、刻蚀机、金属蒸发设备和浸泡剥离设备， 其特点是先在化合物半导体外延片的表面淀积SiO2/Si3N4两层介质层， 再在其上涂负性光刻胶；然后在负性光刻胶上光刻出发射极窗口图形， 再用反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀设备将发射极窗口图形处的 介质层刻蚀掉，然后用等离子体刻蚀将负性光刻胶窗口适当扩大，继而 通过蒸发制备发射极所需金属，再经浸泡剥离，从而获得T型发射极金 属图形。适用于多种金属实现发射极/基极金属图形自对准，使发射区和 基区面积大为缩小。 |
| 其它备注: | |
科研产出