| 专利名称: | 一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610012051.1 |
| 申请日期: | 2006-05-31 |
| 专利号: | CN101083301 |
| 第一发明人: | 商立伟 涂德钰 王丛舜 刘 明 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明属于微电子学与分子电子学中的微细加工领域，特别是一种 纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法。其步骤如下：1.在 基片表面上淀积绝缘层薄膜；2.在绝缘层薄膜表面上旋涂电子束抗蚀剂， 电子束曝光、显影得到下电极图形；3.蒸发制备下电极金属；4.金属 剥离得到交叉线下电极；5.在下电极上覆盖生长有机分子薄膜；6.在 有机分子薄膜上蒸发制备金属保护层；7.在保护层上面旋涂双层光刻胶， 电子束曝光、显影得到上电极图形；8.斜向蒸发制备上电极金属薄膜； 9.金属剥离得到交叉线上电极；10.干法刻蚀保护层，完成交叉线有机 分子器件的制备。 |
| 其它备注: | |
科研产出