| 专利名称: | 一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610083996.2 |
| 申请日期: | 2006-06-16 |
| 专利号: | CN101089545 |
| 第一发明人: | 王 琴 王丛舜 龙世兵 刘 明 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及量子信息技术领域，特别是一种射频单电子晶体管位移 传感器的设计方法。在SOI衬底上制作双端固支梁和单电子晶体管，利 用纳米尺度的双端固支梁作为敏感组件，再用射频单电子晶体管作为传 感组件，形成快速超灵敏位移传感器。充分利用射频单电子晶体管的高 灵敏度的特性(电荷灵敏度可达10-5eHz-1/2)，形成快速超灵敏位移传感 器。这种基于SOI衬底材料的快速超灵敏位移传感器具有极高的位移灵 敏度，可达10-5nm，同时也具有很高的工作频率，可达几百MHz。这种快 速超灵敏位移传感器可为量子测量提供一种有效的解决方法，可为量子 信息技术的发展作出贡献。 |
| 其它备注: | |
科研产出