| 专利名称: | 栅体通过反偏肖特基结连接SOI动态阈值晶体管的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610083997.7 |
| 申请日期: | 2006-06-16 |
| 专利号: | CN101090122 |
| 第一发明人: | 毕津顺 海潮和 韩郑生 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及半导体器件技术领域，特别是栅体通过反偏肖特基结连 接SOI动态阈值晶体管的方法。包括：SOI衬底(3)；形成在SOI顶层硅 膜(1)内的晶体管，其中所述晶体管包括栅电极(55)，栅氧化层(51)， 漏电极(52)，源电极(53)(源漏可以互换)和体区(54)；连接到晶体 管栅电极(55)和体区(54)之间的反偏肖特基结(50)；用金属(02)将栅电 极(55)和体引出部分(10)电学相连；以及器件之间必要的电学隔离。 本发明的晶体管适用于低压低功耗高速集成电路领域。 |
| 其它备注: | |
科研产出