| 专利名称: | 一种高迁移率各向异性有机场效应管的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610083998.1 |
| 申请日期: | 2006-06-16 |
| 专利号: | CN101090148 |
| 第一发明人: | 王丛舜 商立伟 涂德钰 刘 明 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及有机半导体器件领域，一种结合干法刻蚀技术的制备 图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，首先沉积生长第一 层有机半导体薄膜，然后通过氧气等离子体干法刻蚀技术把设计好的图 形转移到第一层有机薄膜表面上，再沉积生长第二层有机半导体薄膜。 其步骤如下：1.在导电基底上制备绝缘介质层；2.在绝缘介质层薄膜 表面上沉积生长第一层有机半导体薄膜；3.利用镂空模板采用氧气等离 子体干法刻蚀有机薄膜，把设计的模板图形转移到第一层有机薄膜上；4. 沉积生长第二层同质有机物薄膜；5.通过镂空的掩模版沉积源漏金属电 极，完成各向异性有机场效应管的制备。 |
| 其它备注: | |
科研产出