| 专利名称: | 一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610104117.X |
| 申请日期: | 2006-07-31 |
| 专利号: | CN101118924 |
| 第一发明人: | 毕津顺 吴俊峰 海潮和 韩郑生 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种高击穿电压SOI器件结构，包括SOI衬底(3)，埋 氧层(2)，形成在SOI顶层硅膜(1)内的晶体管，所述晶体管包括栅电 极(30)，栅氧化层(31)，漏电极(10)，源电极(50)背栅沟道(60)， 以及位于漏电极(10)与源电极(50)之间且位于背栅沟道(60)两侧的 体区(53)。本发明同时公开了一种高击穿电压SOI器件结构的制备方法。 利用本发明，有效地提高了SOI器件的击穿电压，同时不明显增大SOI 器件背栅沟道漏电流，保持SOI器件良好的背栅特性，而且该高击穿电压 SOI器件结构的制备工艺与通常CMOS工艺兼容，适用于商业化生产，非 常有利于本发明的推广和应用。 |
| 其它备注: | |
科研产出