| 专利名称: | 一种砷化镓单片微波集成电路功率放大器热沉的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610112408.3 |
| 申请日期: | 2006-08-16 |
| 专利号: | CN101127309 |
| 第一发明人: | 朱 旻 张海英 刘训春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种GaAs MMIC功率放大器热沉的制作方法，该方法 包括：A、制作与芯片尺寸相合的陶瓷基片及钼材料基片；B、在制作的 陶瓷基片的上下表面之间打孔；C、在打孔的陶瓷基片的上下表面及孔的 内壁镀金；D、将镀金后的陶瓷基片上表面与钼材料基片的下表面粘合；E、 将芯片与钼材料基片的上表面粘合；F、将陶瓷基片的下表面与腔体粘合， 完成热沉的制作。利用本发明，由于使用了陶瓷基片与钼材料基片，通过 两种材料的不同热膨胀特性，避免了在陶瓷基片上直接粘合芯片易发生断 裂的现象，解决了GaAs芯片热传导性能差，热耗散不能及时而导致芯片 单管烧毁的问题，进而解决了GaAs芯片粘结断裂现象，提高了芯片的可 靠性。 |
| 其它备注: | |
科研产出