| 专利名称: | 一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610112701.X |
| 申请日期: | 2006-08-30 |
| 专利号: | CN101136337 |
| 第一发明人: | 毕津顺 海潮和 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备低栅扩展电容SOI体接触器件的方法，包括： A.在SOI顶层硅上生长并剥离一层牺牲氧化层，进行N场注入和P场注 入，对得到的器件进行电学隔离；B.在电学隔离后的器件表面热生长一 层二氧化硅，注入杂质，穿透热生长的二氧化硅层，调节阈值电压；C. 在热生长的二氧化硅层上化学气相淀积一层二氧化硅，增加一层栅扩展光 刻版，以光刻胶为掩膜，对热生长及淀积的二氧化硅进行刻蚀；D.去胶， 然后低温热生长一层高质量栅氧化层，化学气相淀积一层多晶硅，对淀积 的多晶硅进行离子注入；E.退火，利用栅版光刻版对多晶硅进行刻蚀并 去胶。利用本发明，减小了SOI体接触器件的栅扩展电容，提高了电路的 工作速度，降低了电路的功耗。 |
| 其它备注: | |
科研产出