| 专利名称: | 一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200610113722.3 |
| 申请日期: | 2006-10-13 |
| 专利号: | CN101162696 |
| 第一发明人: | 毕津顺 海潮和 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种源体欧姆接触SOI晶体管的制作方法，该方法包 括：A.在源体欧姆接触SOI晶体管版图中，增加一层源漏大剂量杂质反 注入光刻版；B.以源漏大剂量杂质注入光刻版的反版为掩膜进行源漏大 剂量杂质注入；C.以增加的源漏大剂量杂质反注入光刻版的反版为掩膜 进行源漏大剂量杂质反注入，引出栅区下面的体区；D.溅射钛层，退火 生成源漏硅化物，形成源体欧姆接触SOI晶体管。利用本发明，消除通常 部分耗尽SOI浮体器件中存在的边缘漏电现象和浮体效应。本发明与互补 金属—氧化物—半导体场效应晶体管(CMOS)工艺完全兼容，适用于低 压、低功耗、高可靠性集成电路领域，可以用于商业化生产。 |
| 其它备注: | |
科研产出