| 专利名称: | 一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710063203.5 |
| 申请日期: | 2007-01-04 |
| 专利号: | CN101217112 |
| 第一发明人: | 徐秋霞 李瑞钊 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅制备方法，步骤如下：在器件源/ 漏区钴硅化物形成后进行平坦化工艺，腐蚀栅槽和漂去替代栅氧化硅，再 栅氧化；真空热退火处理；溅射难熔金属TiN，厚度25-45nm；溅射W薄 膜，厚度为90-110nm；用丙酮、无水乙醇各超声清洗，去离子水冲洗，热 N2中甩干；光刻W/TiN T型栅；反应离子刻蚀W/TiN T型栅，刻蚀气体为 Cl2和SF6；等离子增强化学汽相沉积SiO2，SiO2厚度500-700nm；接触孔 形成；金属化退火。本发明解决了常规多晶硅栅存在的栅电阻过高、PMOS 器件硼穿透严重、多晶硅栅耗尽及与高K栅介质不兼容等一系列严重问题， 从而获得优良的器件特性。 |
| 其它备注: | |
科研产出