| 专利名称: | 实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710063372.9 |
| 申请日期: | 2007-01-10 |
| 专利号: | CN101221983 |
| 第一发明人: | 徐静波 张海英 叶甜春 尹军舰 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及化合物半导体材料技术领域，公开了一种实空间转移高电 子迁移率场效应晶体管材料，该实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材 料由在GaAs衬底上依次外延生长GaAs缓冲层、Al0.22Ga0.78As下势垒层、 In0.2Ga0.8As沟道层、GaAs空间隔离层、In0.485Ga0.515P空间隔离层、平面掺 杂层、In0.485Ga0.515P势垒层以及高掺杂GaAs盖帽层构成。利用本发明， 实现了载流子在实空间内转移，更容易使电子由沟道转移到空间隔离层、 平面掺杂层和盖帽层，达到了具有稳定的负微分电阻特性的实空间转移三 端器件的目的。 |
| 其它备注: | |
科研产出