| 专利名称: | 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710063375.2 |
| 申请日期: | 2007-01-10 |
| 专利号: | CN101221984 |
| 第一发明人: | 徐静波 张海英 叶甜春 尹军舰 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及化合物半导体材料技术领域，公开了一种高速砷化镓基复 合沟道MHEMT材料，该MHEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的 晶格应变层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层掺杂InP、沟 道层不掺杂InP、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺 杂层、势垒层In0.52Al0.48As和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。利用本发 明，结合了In0.53Ga0.47As的低场高电子迁移率和高场下InP有高阈值能量 以及高饱和速率的特性，解决了常规MHEMT器件源漏击穿电压低的缺 点，达到了既提高源漏击穿电压，又保证器件具有优越的毫米波频率特性 的目的。 |
| 其它备注: | |
科研产出