| 专利名称: | 一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法 |
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| 申请号: | 200710062981.2 |
| 申请日期: | 2007-01-24 |
| 专利号: | CN101231956 |
| 第一发明人: | 王立新 |
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| 专利摘要: | 本发明涉及半导体技术中SOI器件体接触技术领域，公开了一种实现 部分耗尽SOI器件体接触的方法，包括：A.在形成多晶硅栅之后，在源 极一侧进行体引出注入；B.对源漏端进行LDS和LDD注入，在形成一 次氧化物侧墙后，进行源漏区的N+注入，在源漏区都形成浅结；C.用光 刻胶把源区保护后，对漏区进行第二次N+注入，以使漏端结区到达埋氧 层，形成源漏不对称的结构；D.利用钴的硅化物，在源极一侧的钴硅化 物穿透源极到达下面的体区，钳制体区电位，抑制浮体效应。利用本发明， 不但有效的抑制了浮体效应，提高了部分耗尽SOI器件性能，而且与标准 互补金属氧化物半导体工艺兼容，具有工艺简单，成本低等优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出