| 专利名称: | 一种场效应晶体管多层场板器件及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710062987.X |
| 申请日期: | 2007-01-24 |
| 专利号: | CN101232045 |
| 第一发明人: | 刘果果 刘新宇 郑英奎 魏 珂 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及半导体材料中微波功率器件技术领域，公开了一种制作铝 镓氮/氮化镓高电子迁移率场效应晶体管(AlGaN/GaN HEMT)多层场板 器件的方法，该方法基于常规的AlGaN/GaN HEMT器件制作工艺，在形 成栅金属接触后，先制作栅连接场板，再制作源连接场板，形成AlGaN/GaN HEMT多层场板器件。本发明同时公开了一种AlGaN/GaN HEMT多层场 板器件。利用本发明，大大提高了AlGaN/GaN HEMT器件的击穿特性， 并有效地抑制了AlGaN/GaN HEMT器件的电流崩塌现象。 |
| 其它备注: | |
科研产出