| 专利名称: | 利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710099544.8 |
| 申请日期: | 2007-05-24 |
| 专利号: | CN101312212 |
| 第一发明人: | 胡 媛 刘 明 龙世兵 杨清华 管伟华 李志刚 刘 琦 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种利用高k介质和纳米晶浮栅 的非易失存储器，包括：硅衬底1、硅衬底上重掺杂的源导电区6和漏导 电区7、源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的高k材料隧穿介质层2、隧 穿介质层上覆盖的纳米晶浮栅层3、纳米晶浮栅层上覆盖的高k材料或 SiO2材料控制栅介质层4以及控制栅介质层上覆盖的栅材料层5。同时公 开了一种利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器的制作方法。利用本 发明，提高了浮栅非易失存储器的编程/擦除速度、数据保持特性、编程/ 擦除耐受性等存储性能，降低了编程/擦除电压、操作时间和操作功耗，较 好折衷了编程/擦除效率和数据保持的矛盾，提高了集成度，制作工艺简单， 降低了制作成本。 |
| 其它备注: | |
科研产出