| 专利名称: | 一种斜面光接收的光电探测器 |
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| 申请号: | 200710099874.7 |
| 申请日期: | 2007-05-31 |
| 专利号: | CN101315955 |
| 第一发明人: | 申华军 李志华 杨成樾 万里兮 李宝霞 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及光互联通信的光电探测器件技术领域，公开了一种斜面光 接收的光电探测器，该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀 后形成的V型槽的一个斜面上，有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、 n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层，有源区的上表面为单电极或 双电极。本发明提供的斜面光接收的光电探测器，有源区位于器件的斜面 上，能够与各种类型的电路板上的光波导实现直接光路耦合，不需要光路 传输方向的转变，形成简便高效的光探测接收端，简化了光路的耦合对准。 由于不需要光路传输方向的转变，因而也就不需要精密的光路对准装置， 使得工艺和对准的难度大大降低，成本下降，并减少了光损耗，提高了耦 合效率。 |
| 其它备注: | |
科研产出