| 专利名称: | 一种双层结构的微机电系统微磁执行器的制作方法 |
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| 申请号: | 200710121076.X |
| 申请日期: | 2007-08-29 |
| 专利号: | CN101376491 |
| 第一发明人: | 易 亮 欧 毅 陈大鹏 景玉鹏 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及微机电系统微型执行器技术领域，公开了一种双层结构的 微机电系统微磁执行器的制作方法，该方法包括：A.在硅芯片背面淀积 氮化硅薄膜；B.保护正面，背面光刻，刻蚀形成氮化硅薄膜窗口；C.在 硅芯片正面淀积一层PSG薄膜，在PSG层上再淀积一层多晶硅薄膜；D. 在多晶硅薄膜上再淀积一层PSG，退火，对多晶硅薄膜进行磷掺杂；E. 去掉PSG，光刻，刻蚀形成执行器图形；F.正面淀积一层氮化硅薄膜， 光刻，刻蚀形成接触孔；G.正面光刻，打底胶，电子束蒸发Cr/Au，剥 离形成金属线圈以及电极；H.腐蚀背面体硅，直到PSG层；I.在HF溶 液中腐蚀PSG层，释放执行器。本发明简化了制作工艺，克服了用于流体 控制的微执行器驱动力小的问题。 |
| 其它备注: | |
科研产出