| 专利名称: | 一种双介质层有机场效应晶体管及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710121974.5 |
| 申请日期: | 2007-09-19 |
| 专利号: | CN101393966 |
| 第一发明人: | 商立伟 刘 明 涂德钰 王丛舜 贾 锐 龙世兵 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及有机半导体器件技术领域，公开了一种双介质层有机场效 应晶体管，该晶体管由下至上依次包括衬底、第一介质层、第二介质层、 有源层和源漏电极层，对于采用公共背栅电极的该晶体管，衬底同时作为 公共背栅电极，对于采用独立栅电极的该晶体管，在衬底与第一介质层之 间还包括一独立栅电极，所述第一介质层为高介电常数的氧化物介质层， 所述第二介质层为低介电常数的有机物介质层，第一介质层位于栅电极与 第二介质层之间，第二介质层与有源层直接接触。本发明同时公开了一种 双介质层有机场效应晶体管的制作方法。利用本发明，解决了使用单层介 质膜有机场效应管中存在的问题，获得了高性能的器件，推动了有机电路 的实用化。 |
| 其它备注: | |
科研产出