| 专利名称: | 一种制备交叉分子电子器件的方法 |
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| 申请号: | 200710176280.1 |
| 申请日期: | 2007-10-24 |
| 专利号: | CN101420014 |
| 第一发明人: | 涂德钰 刘 明 商立伟 刘新华 谢常青 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域，公开了一 种制备交叉分子电子器件的方法，包括：在基片上淀积一层绝缘介质；在 该绝缘介质层上旋涂抗蚀剂，在该抗蚀剂上光刻出交叉结构图形；利用抗 蚀剂作为掩蔽刻蚀该绝缘介质层，将交叉结构图形转移到绝缘介质层上， 然后去除多余的抗蚀剂；沿着交叉结构中线条的一个方向，按一定角度蒸 发金属，形成下电极；在下电极上淀积双稳态分子薄膜；沿着交叉结构中 线条的另一个方向，按一定角度蒸发金属，形成上电极。利用本发明，有 效地改避免金属剥离工艺对有机分子造成的损伤，同时具有工艺流程简单 等优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出