| 专利名称: | 用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版图结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810238813.9 |
| 申请日期: | 2008-12-02 |
| 专利号: | CN101424654 |
| 第一发明人: | 范雪梅 赵超荣 杜 寰 胡云中 雒建斌 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种用于测试层间介质是否产生侵蚀的铜引线电路版 图结构，所述铜引线电路版图包括一个由多根宽度相等的、等间隔排列的 铜引线构成的铜电阻阵列，铜引线的根数大于3，所述铜电阻阵列中铜引 线首尾相串联，所述铜电阻阵列首尾端分别设置有一个电流引出端口，铜 电阻阵列中至少有三条长度相等的铜引线，每个长度相等的铜引线两端分 别设置有一个电压引出端口。本发明可以用于电学测量铜引线在CMP过 程后铜引线层间介质是否产生侵蚀现象。此方法结构简单，占用版图面积 小，便于嵌入版图中，实验测量方便。采用这种电学方法来测量，不受线 条尺寸的影响，可以方便地对整个芯片进行测量，很好地验证芯片CMP 的均匀性。 |
| 其它备注: | |
科研产出