| 专利名称: | 用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810238814.3 |
| 申请日期: | 2008-12-02 |
| 专利号: | CN101425505 |
| 第一发明人: | 范雪梅 赵超荣 杜 寰 胡云中 雒建斌 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构， 所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单 元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十 字结构的铜引线构成。本发明可以用于电学测量铜引线在CMP过程后是 否产生凹形坑。此方法结构简单，占用版图面积小，便于嵌入版图中，实 验测量方便。采用这种电学方法来测量，不受线条尺寸的影响，可以方便 地对整个芯片进行测量，很好地验证芯片CMP的均匀性。 |
| 其它备注: | |
科研产出