| 专利名称: | 基于多晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810239363.5 |
| 申请日期: | 2008-12-11 |
| 专利号: | CN101435722 |
| 第一发明人: | 何 伟 明安杰 薛惠琼 焦斌斌 欧 毅 陈大鹏 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种基于多晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及 其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A.深槽刻蚀，填充及平坦化， 以在横向划分红外探测单元；步骤B.在底硅层正面淀积埋氧层和顶硅层； 步骤C.在每一红外探测单元中的顶硅层正面形成绝缘隔离槽及制作绝热悬 臂梁上的多晶硅导线；步骤D.在每一红外探测单元中的顶硅层设置数个串 联的多晶硅PN结；步骤E.形成双层金属布线；步骤F.在每一红外探测单 元中制作悬空的绝热悬臂梁，刻蚀所述底硅层，形成所述空腔。本发明利用 多晶硅PN结的良好的温度特性，通过测量多晶硅PN结两端的电压的变化， 以获得红外辐射强弱的探测结果。 |
| 其它备注: | |
科研产出