| 专利名称: | 基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件及其制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710177795.3 |
| 申请日期: | 2007-11-21 |
| 专利号: | CN101441962 |
| 第一发明人: | 傅剑宇 陈大鹏 景玉鹏 欧 毅 叶甜春 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件，由氮化 硅薄膜隔离端1、附着有低功函数金属的微尖端2和布有金属导线的布线 凹槽3构成。其中，隔离端1用于在器件工作时避免微尖端与被加工材料 接触，控制微尖端与被加工材料表面的距离；微尖端2用于根据尖端放电 的原理，当在焊盘与所要加工的材料之间加上一微小电压时，尖端处产生 很强的电场，造成大量电子穿透势垒逸出；布线凹槽3用于附着或容纳作 为导线的金属，作为线路通道实现对各个微尖端的控制。本发明同时公开 了基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件的制作方法。利用本发明，实 现了高分辨率纳米级图形加工和高密度数据存储，解决了单探针工作效率 低的问题。 |
| 其它备注: | |
科研产出