| 专利名称: | 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710177794.9 |
| 申请日期: | 2007-11-21 |
| 专利号: | CN101442070 |
| 第一发明人: | 徐静波 张海英 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材 料结构，该结构由在砷化镓衬底上依次生长的晶格应变层InxAl1-xAs、沟 道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、 平面掺杂层、第一势垒层In0.52Al0.48As、第一腐蚀截止层InP、第二势垒层 In0.52Al0.48As、第二腐蚀截止层InP和高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成。利 用本发明，达到了在同一块GaAs衬底上同时制备增强型和耗尽型 MHEMT器件和电路的目的，并提高了MHEMT器件功率性能。 |
| 其它备注: | |
科研产出