| 专利名称: | 制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法 |
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| 申请号: | 200710178775.8 |
| 申请日期: | 2007-12-05 |
| 专利号: | CN101452844 |
| 第一发明人: | 李维龙 贾 锐 陈 晨 刘 明 陈宝钦 谢常青 龙世兵 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种采用电子束蒸发方式制备埋嵌硅纳米晶的高介 电常数栅介质的方法，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅隧穿介质 层；将高介电常数栅介质的固体粉末和硅粉末的混合物通过电子束蒸 发技术蒸发至该二氧化硅层上；高温热退火。采用该方法制备的高介 电常数栅介质埋嵌的硅量子点颗粒的大小约为3至6nm，可用于纳米 晶浮栅存储器的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、 易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出