| 专利名称: | 一种制备交叉线阵列结构有机分子器件的方法 |
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| 申请号: | 200710179369.3 |
| 申请日期: | 2007-12-12 |
| 专利号: | CN101459223 |
| 第一发明人: | 商立伟 刘 明 涂德钰 甄丽娟 刘 舸 刘兴华 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种制备交叉线阵列结构有机分子器件的方法，包 括：在基片上淀积绝缘层薄膜；在所述绝缘层薄膜上沉积金属下电极 层；在所述金属下电极层上制备双稳态有机分子薄膜层；在所述有机 分子薄膜层上沉积金属保护层；在所述金属保护层上旋涂抗蚀剂，光 刻得到下电极的胶图形层；采用所述胶图形层掩蔽刻蚀金属保护层、 有机分子薄膜层和金属下电极层；去除光刻胶层；采用镂空掩膜版制 备金属上电极层。利用本发明，由于事先刻蚀了保护层，避免了刻蚀 保护层时等离子体对上电极的损伤；采用水溶性光刻胶，避免了通常 去除光刻胶过程中有机溶剂对有机高分子材料的损伤；并减少了工艺 步骤，提高了加工效率，解决了该有机材料与微电子工艺的兼容性问 题。 |
| 其它备注: | |
科研产出