专利名称: 平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构
专利类别:
申请号: 200710303894.1
申请日期: 2007-12-26
专利号: CN101469414
第一发明人: 刘训春 周宗义 李 兵 张育胜 王 佳 张永利
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本发明一种平板式等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)设备的反应
室结构,涉及微电子技术,是由内真空室与外腔室嵌套组成;内真空室上
段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室连接;内真空室上段的顶壁外
侧通过螺杆与外腔室顶面的堵转电机连接,以堵转电机控制内真空室上段
的升降;内真空室的工作压强高于外腔室。反应室内真空室中的载片盘与
内真空室下段的侧壁不接触,避免载片台上的热量向外壁传导,以便载片
台可以很快加热到很高的温度。本发明的反应室结构可以避免系统漏气的
影响,明显地改善淀积薄膜的质量,降低粉尘;有利于提高衬底温度和新
材料的生长。
其它备注: