专利名称: | 平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构 |
专利类别: | |
申请号: | 200710303894.1 |
申请日期: | 2007-12-26 |
专利号: | CN101469414 |
第一发明人: | 刘训春 周宗义 李 兵 张育胜 王 佳 张永利 |
其它发明人: | |
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专利摘要: | 本发明一种平板式等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)设备的反应 室结构,涉及微电子技术,是由内真空室与外腔室嵌套组成;内真空室上 段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室连接;内真空室上段的顶壁外 侧通过螺杆与外腔室顶面的堵转电机连接,以堵转电机控制内真空室上段 的升降;内真空室的工作压强高于外腔室。反应室内真空室中的载片盘与 内真空室下段的侧壁不接触,避免载片台上的热量向外壁传导,以便载片 台可以很快加热到很高的温度。本发明的反应室结构可以避免系统漏气的 影响,明显地改善淀积薄膜的质量,降低粉尘;有利于提高衬底温度和新 材料的生长。 |
其它备注: | |
科研产出