| 专利名称: | 适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710303895.6 |
| 申请日期: | 2007-12-26 |
| 专利号: | CN101471260 |
| 第一发明人: | 黎 明 徐静波 付晓君 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT 器件的栅退火方法，该方法包括：采用湿法腐蚀形成隔离台面，然后 光刻栅条；蒸发Ti/Pt/Au栅金属结构，接着常规剥离形成金属图形； 最后在高温快速退火炉内，在氮气气氛下退火，温度范围为280至320 度，时间为10至40分钟，形成增强型器件栅极。利用本发明，解决 了DCFL IC的逻辑摆幅Vm小(受势垒高度的固有限制)的问题，达 到了精确控制E-HEMT域值电压Vth的目的，成功制作了稳定一致的 增强型器件，保证了增强型器件域值电压在零以上，确保了E/D型器 件及其逻辑电路正常工作。 |
| 其它备注: | |
科研产出