| 专利名称: | 二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器 |
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| 申请号: | 200710304220.3 |
| 申请日期: | 2007-12-26 |
| 专利号: | CN101471421 |
| 第一发明人: | 刘 琦 刘 明 龙世兵 贾 锐 管伟华 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发 电阻转变型存储器，该存储器包括：一上导电电极；一下导电电极； 一位于该上导电电极与下导电电极之间的二元过渡族金属氧化物薄 膜，该二元过渡族金属氧化物薄膜中注入有离子。本发明在二元过渡 族金属氧化物中注入离子，可以极大地提高器件的产率，增加器件高、 低阻态之间的比值，减小各个器件之间电阻转变特性的离散值。本发 明的存储器器件具有结构简单，易集成，成本低，与传统的硅平面 CMOS工艺兼容等优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 |
| 其它备注: | |
科研产出