| 专利名称: | 存储器及其制作方法 |
| 申请号: | 200910078247.4 |
| 申请日期: | 2009-02-23 |
| 专利号: | CN101494224 |
| 第一发明人: | 刘 明 王 琴 胡 媛 郭婷婷 |
| 专利摘要: | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种冠状势垒复合隧穿层的俘获 型浮栅非易失存储器，包括：硅衬底，在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏 导电区，在源、漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO2 材料介质/高k材料介质组成的复合隧穿层，在复合隧穿层上覆盖的俘获型 浮栅层、在俘获型浮栅层上覆盖的高k材料或SiO2材料控制栅介质层，和 在控制栅介质层上覆盖的栅材料层。同时公开了一种冠状势垒复合隧穿层 的俘获型浮栅非易失存储器的制作方法。利用本发明，综合改善了浮栅非 易失存储器的存储性能，并且制作工艺简单，降低了制作成本。 |
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